КИОКИА развија нову структуру ћелија флеш меморије Твин БиЦС Фласх

КИОКИА Еуропе ГмбХ најавила је развој прве 3Д технологије полукружних ћелија са подељеним затварачем на свету на основу структуре полукружних ћелија посебног дизајна са плутајућим вратима ФГ-Твин БиЦС Фласх. Нова структура има побољшане перформансе писања и шири прозор за снимање/брисање при знатно мањој величини у поређењу са традиционалним кружним ћелијама са ЦТ замком за пуњење .

Пиринач. 1. Формиране полукружне ФГ ћелије: а-попречни пресек; Б – поглед одозго

Због таквих карактеристика, ћелије новог дизајна сматрају се обећавајућим решењем, супериорним у својим карактеристикама у технологији складиштења од четири бита у КЛЦ ћелији и омогућавању значајног повећања густине складиштења и смањења броја слојева. Нова технологија представљена је на ИЕЕЕ Интернатионал Елецтрон Девицес Меетинг ИЕДМ конференцији одржаној 11. децембра у Сан Франциску, Калифорнија, САД.

Технологија 3Д флеш меморије постигла је високу густину писања по ниској цени за сваки бит података захваљујући повећању броја слојева ћелија, као и примени вишеслојне структуре и јеткања са великим продужењем. Последњих година, када је број слојева ћелија премашио стотину, проналажење компромиса између управљања профилом јеткања, уједначености величине и ефикасности производње постаје све већи изазов. Да би решио овај проблем, КИОКИА је развила нови дизајн полукружних ћелија раздвајањем излаза капије у традиционалној кружној ћелији како би смањила димензије и створила меморију веће густине са мање слојева. Кружна контролна капија захваљујући ефекту закривљености, побољшавајући убризгавање носача кроз тунелски диелектрик и смањујући цурење електрона у блокирајући диелектрик, БЛК пружа шири прозор за снимање и смањује утицај засићења у поређењу са равном капијом.

Пиринач. 2. Експерименталне карактеристике снимања / брисања полукружних ФГ ћелија у поређењу са округлим ЦТ ћелијама

У овом дизајну, кружна контролна капија је симетрично подељена на два полукружна врата, што значајно побољшава динамику снимања/брисања. Као што је приказано на слици. 1, Да би се побољшала ефикасност хватања набоја, користи се проводни слој за складиштење у комбинацији са диелектриком који блокира високу константу. Као резултат тога, постиже се висок однос спајања за повећање прозора за снимање, а смањује се и цурење електрона са плутајуће капије, што омогућава решавање проблема изазваних засићењем. Експерименталне карактеристике снимања / брисања на слици. 2 показују да полукружне ћелије са плутајућом ФГ капијом и диелектриком са високом константом омогућавају значајно побољшање перформанси снимања и проширење прозора за снимање/брисање у поређењу са већим округлим ћелијама са ЦТ замком за пуњење .

Пиринач. 3. Симулиране ВТ дистрибуције након писања са калибрираним параметрима

Очекује се да ће полукружне ФГ ћелије које имају боље перформансе писања/брисања имати релативно густу КЛЦ ВТ дистрибуцију при малим величинама ћелија. Поред тога, примена силицијумског канала са ниском концентрацијом замки омогућава складиштење више од четири бита података у једној ћелији и реализацију, на пример, ПЛЦ ћелија на пет нивоа, као што је приказано на слици. 3. Ови резултати потврђују да полукружне ФГ ћелије могу послужити као практично решење за повећање густине складиштења података.

Од сада ће истраживање и развој иновативне флеш меморије компаније КИОКИА укључивати даљи развој технологије Твин БиЦС Фласх и проналажење њене практичне примене. На конференцији ИЕДМ 2023, КИОКИА је такође представила шест других публикација које показују високу истраживачку и развојну активност компаније у области флеш меморије.